Discos de estado solido ( SSD ) Hay 17 productos.

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  • Hasta la puerta de tu hogar o negocio
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    Gigastone Enterprise SSD 4TB NAS SSD Drive Cache Durable 24/7 Servidor de negocios de alta resistencia Centro de datos RAID Almacenamiento en red Almacenamiento en caché de 2.5" SATA Disco duro


  • Hasta la puerta de tu hogar o negocio
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    Gigastone Enterprise 2TB NAS SSD 24/7 Servidor de negocios de alta resistencia Centro de datos en la nube personal NVR RAID robusto 2.5 "SATA III Unidad interna de estado sólido 3D NAND SLC caché


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    Gigastone Game Pro 256GB SSD SATA III 6Gb/s. Unidad interna de estado sólido 3D NAND de 2.5", lectura hasta 510MB/s. Compatible con PS4, PC, escritorio y portátil, 2.5 pulgadas 0.276 in (0.28)


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    1TB Storage Capacity M.2 2280 Form Factor PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Interface Sequential Reads up to 7000 MB/s Sequential Writes up to 5000 MB/s Up to 600TB TBW (Total Bytes Written) Samsung V-NAND Flash Technology Samsung Elpsis Controller AES 256-Bit Encryption TCG/Opal 2.0, MS eDrive Encryption


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    Samsung SSD 990 PRO PCIe 4.0 M.2 de 2 TB con disipador de calor para juegos más rápidos y almacenamiento directo


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    características principales 2TB Storage Capacity M.2 2280 Form Factor PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0 Interface Sequential Reads up to 7450 MB/s Sequential Writes up to 6900 MB/s Up to 1200TB TBW (Total Bytes Written) Samsung V-NAND Flash Technology AES 256-Bit Encryption


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    características principales 1TB Storage Capacity Works with PlayStation 5 M.2 2280 Form Factor PCIe 4.0 x4 NVMe Interface Sequential Write Speeds up to 5000 MB/s Sequential Read Speeds up to 6600 MB/s 2 Million Hour MTTF Up to 600TB TBW (Total Bytes Written) SMART and TRIM Support TCG OPAL 2.0 Encryption


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    características principales 2TB Storage Capacity 2.5" Form Factor SATA III 6 Gb/s Interface 2GB LPDDR4 Cache Up to 560 MB/s Sequential Read Speed Up to 530 MB/s Sequential Write Speed Samsung MKX Controller MLC V-NAND Technology MTBF Rating: 1.5 Million Hours Endurance up to 1200TB


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    características principales 2TB Storage Capacity M.2 2280 Form Factor PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Interface Sequential Reads up to 7000 MB/s Sequential Writes up to 5100 MB/s Samsung V-NAND Flash Technology Samsung Elpsis Controller AES 256-Bit Encryption TCG/Opal 2.0, MS eDrive Encryption


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    características principales 2TB Storage Capacity PCIe 3.0 x4 Interface M.2 2280 Form Factor Up to 2,100 MB/s Sequential Read Speed Up to 1,900 MB/s Sequential Write Speed 2 Million Hour MTFB SMART and TRIM Support Raid 0 and 1 Supported 3D NAND Components Low Power Consumption


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    características principales 500GB Storage Capacity M.2 2280 Form Factor PCIe 3.0 x4 Interface Up to 3430 MB/s Sequential Read Speed Up to 2600 MB/s Sequential Write Speed 1.75 Million Hours MTTF 300 TBW Endurance 64-Layer 3D NAND Flash Memory Includes Heatsink


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    características principales 500GB Storage Capacity M.2 2280 Form Factor PCIe 3.0 x4 Interface Up to 2300 MB/s Sequential Write Speed Up to 3500 MB/s Sequential Read Speed 300 TBW Endurance 1.5 Million Hours MTTF TLC NAND Flash Memory

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