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Discos de estado solido (SSD) Hay 11 productos.

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    características principales 1TB Storage Capacity Works with PlayStation 5 M.2 2280 Form Factor PCIe 4.0 x4 NVMe Interface Sequential Write Speeds up to 5000 MB/s Sequential Read Speeds up to 6600 MB/s 2 Million Hour MTTF Up to 600TB TBW (Total Bytes Written) SMART and TRIM Support TCG OPAL 2.0 Encryption

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    características principales 2TB Storage Capacity 2.5" Form Factor SATA III 6 Gb/s Interface 2GB LPDDR4 Cache Up to 560 MB/s Sequential Read Speed Up to 530 MB/s Sequential Write Speed Samsung MKX Controller MLC V-NAND Technology MTBF Rating: 1.5 Million Hours Endurance up to 1200TB

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    características principales 2TB Storage Capacity M.2 2280 Form Factor PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Interface Sequential Reads up to 7000 MB/s Sequential Writes up to 5100 MB/s Samsung V-NAND Flash Technology Samsung Elpsis Controller AES 256-Bit Encryption TCG/Opal 2.0, MS eDrive Encryption

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    características principales 2TB Storage Capacity PCIe 3.0 x4 Interface M.2 2280 Form Factor Up to 2,100 MB/s Sequential Read Speed Up to 1,900 MB/s Sequential Write Speed 2 Million Hour MTFB SMART and TRIM Support Raid 0 and 1 Supported 3D NAND Components Low Power Consumption

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    100% de respaldo contra perdida y daño de la mercancía.!

    características principales 500GB Storage Capacity M.2 2280 Form Factor PCIe 3.0 x4 Interface Up to 3430 MB/s Sequential Read Speed Up to 2600 MB/s Sequential Write Speed 1.75 Million Hours MTTF 300 TBW Endurance 64-Layer 3D NAND Flash Memory Includes Heatsink

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    100% de respaldo contra perdida y daño de la mercancía.!

    características principales 500GB Storage Capacity M.2 2280 Form Factor PCIe 3.0 x4 Interface Up to 2300 MB/s Sequential Write Speed Up to 3500 MB/s Sequential Read Speed 300 TBW Endurance 1.5 Million Hours MTTF TLC NAND Flash Memory

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    características principales 500GB Capacity 3500 MB/s Maximum Read Speed 2100 MB/s Maximum Write Speed PCIe 4.0 x4 NVMe Interface M.2 2280 Form Factor

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    Western Digital interno 2.5" SATA 6Gb/s

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    100% de respaldo contra perdida y daño de la mercancía.!

    características principales 2TB Storage Capacity M.2 2280 Form Factor PCIe NVMe 3.0 x4 Interface Up to 3500 MB/s Sequential Read Speeds Up to 2700 MB/s Sequential Write Speeds Intel QLC 3D NAND

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    Capacidad de almacenamiento de 2 TB Factor de forma M.2 2280 Interfaz PCIe 4.0 x4 NVMe Velocidades de escritura secuencial de hasta 5000 MB/s Velocidades de lectura secuencial de hasta 6600 MB/s Controlador Micron 3D NAND MTTF de 2 millones de horas Hasta 1200 TB TBW (total de bytes escritos) Soporte SMART y TRIM Cifrado TCG OPAL 2.0

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    características principales 1TB Storage Capacity PCIe Interface M.2 2280 Form Factor Up to 3500 MB/s Sequential Read Speed Up to 3300 MB/s Sequential Write Speed 600 TBW Endurance 1.5 Million Hour MTBF AES 256-Bit Encryption Samsung V-NAND 3-Bit MLC Flash SMART & TRIM Support

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